Mosfet là Transistor hiệu ứng trường
( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor
đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor  thông thường
mà ta đã biết, Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ
trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích
hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều
trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính .

Transistor hiệu ứng trường Mosfet

2. Cấu tạo và ký hiệu của Mosfet.

Ký hiệu và sơ đồ chân tương đương
giữa Mosfet và Transistor

* Cấu tạo của Mosfet.

Cấu tạo của Mosfet ngược Kênh N

• G : Gate gọi là cực cổng

• S : Source  gọi là cực nguồn

• D : Drain gọi  là cực máng

• Mosfet kện N có hai miếng bán dẫn loại P đặt trên nền bán dẫn N, giữa hai lớp P-N được cách điện bởi lớp SiO2
  hai miếng bán dẫn P được nối ra thành cực D và cực S, nền bán dẫn N
  được nối với lớp màng mỏng ở trên sau đó được dấu ra thành cực G.

• Mosfet có điện trở  giữa cực G với cực S và giữa
  cực G với cực D  là vô cùng lớn , còn điện trở giữa cực D và cực S
  phụ thuộc vào  điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S ( UGS )

• Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi điện áp UGS > 0  => do hiệu ứng từ trường làm cho điện trở RDS giảm, điện áp UGS càng lớn thì điện trở RDScàng nhỏ.

3. Nguyên tắc hoạt động của Mosfet

Mạch điện thí nghiệm.

Mạch thí nghiệm sự hoạt động của Mosfet

• Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UD
  qua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q (Phân cực thuận cho
  Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điện
  đi qua cực DS khi chân G không được cấp điện.

• Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp vào hai cực GS làm điện áp UGS > 0V => đèn Q1 dẫn => bóng đèn D sáng.

• Khi công tắc K1 ngắt, điện áp tích trên tụ C1 (tụ gốm)
  vẫn duy trì cho đèn Q dẫn => chứng tỏ không có dòng điện đi qua cực
  GS.

• Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích trên tụ C1 giảm bằng 0 =>  UGS= 0V  => đèn tắt

• => Từ thực nghiệm trên ta thấy rằng : điện áp đặt
  vào chân G không tạo ra dòng GS như trong Transistor thông thường mà
  điện áp này chỉ tạo ra từ trường => làm cho điện trở RDS giảm xuống .