Các kiểu mắc của Transistor

2.1 – Transistor mắc theo kiểu E chung.

Mạch mắc theo kiểu E chung có cực E đấu
trực tiếp xuống mass hoặc đấu qua tụ xuống mass để thoát thành phần
xoay chiều, tín hiệu đưa vào cực B và lấy ra trên cực C, mạch có
sơ đồ như sau :

Mạch khuyếch đại điện áp mắc kiểu E chung ,
Tín hiệu đưa vào cực B và lấy ra trên cực C

Rg : là điện trở ghánh , Rđt : Là điện trở
định thiên, Rpa : Là điện trở phân áp .

Đặc điểm của mạch khuyếch đại E chung.

• Mạch khuyếch đại E chung thường được định thiên sao cho điện áp UCE khoảng 60% ÷ 70 % Vcc.

• Biên độ tín hiệu ra thu được lớn hơn biên độ tín hiệu vào nhiều lần, như vậy mạch khuyếch đại về điện áp.

• Dòng điện tín hiệu ra lớn hơn dòng tín hiệu vào nhưng không đáng kể.

• Tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào : vì khi điện áp tín hiệu vào tăng => dòng IBE tăng => dòng ICE
  tăng => sụt áp trên Rg tăng => kết quả là điện áp chân C giảm ,
  và ngược lại khi điện áp đầu vào giảm thì điện áp chân C lại tăng
  => vì vậy điện áp đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào.

• Mạch mắc theo kiểu E chung như trên được ứng dụng nhiều nhất trong thiết bị điện tử.

2.2 – Transistor mắc theo kiểu C chung.

Mạch mắc theo kiểu C chung có chân C đấu
vào mass hoặc dương nguồn ( Lưu ý : về phương diện xoay chiều thì dương
nguồn tương đương với mass ) , Tín hiệu được đưa vào cực B và lấy ra
trên cực E , mạch có sơ đồ như sau :

Mạch mắc kiểu C chung , tín hiệu đưa
vào cực B và lấy ra trên cực E

Đặc điểm của mạch khuyếch đại C chung .

• Tín hiệu đưa vào cực B và lấy ra trên cực E

• Biên độ tín hiệu ra bằng biên độ tín hiệu vào : Vì mối
  BE luôn luôn có giá trị khoảng 0,6V do đó khi điện áp chân B tăng bao
  nhiêu thì áp chân C cũng tăng bấy nhiêu => vì vậy biên độ tín hiệu
  ra bằng biên độ tín hiệu vào .

• Tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào : Vì khi điện áp
  vào tăng => thì điện áp ra cũng tăng, điện áp vào giảm thì điện áp
  ra cũng giảm.

• Cường độ của tín hiệu ra mạnh hơn cường độ của tín hiệu vào nhiều lần : Vì khi tín hiệu vào có biên độ tăng => dòng IBE sẽ tăng => dòng ICE cũng tăng gấp β lần dòng IBE vì
  ICE = β.IBE giả sử Transistor có hệ số khuyếch đại β = 50 lần thì khi dòng IBE tăng 1mA => dòng ICE sẽ tăng 50mA, dòng ICE chính là dòng của tín hiệu đầu ra, như vậy tín hiệu đầu ra có cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần so với tín hiệu vào.

• Mạch trên được ứng dụng nhiều trong các mạch
  khuyếch đại đêm (Damper), trước khi chia tín hiệu làm nhiều nhánh ,
  người ta thường dùng mạch Damper để khuyếch đại cho tín hiệu khoẻ hơn .
  Ngoài ra mạch còn được ứng dụng rất nhiều trong các mạch ổn áp nguồn (
  ta sẽ tìm hiểu trong phần sau )

2.3 – Transistor mắc theo kiểu B chung.

• Mạch mắc theo kiểu B chung có tín hiệu đưa vào chân E và lấy ra trên chân C , chân B được thoát mass thông qua tụ.

• Mach mắc kiểu B chung rất ít khi được sử dụng trong thực tế.

Mạch khuyếch đại kiểu B chung , khuyếch
đại về điện áp và không khuyếch đại về dòng điện.

3 – Các kiểu ghép tầng

3.1 – Ghép tầng qua tụ điện.
* Sơ đồ mạch ghép tầng qua tụ điện

Mạch khuyếch đại đầu từ – có hai tầng khuyếch
đại được ghép với nhau qua tụ điện.

• Ở trên là sơ đồ mạch khuyếch đại đầu từ trong đài
  Cassette, mạch gồm hai tầng khuyếch đại mắc theo kiểu E chung, các tầng
  được ghép tín hiệu thông qua tụ điện, người ta sử dụng các tụ C1 , C3 , C5 làm
  tụ nối tầng cho tín hiệu xoay chiều đi qua và ngăn áp một chiều lại,
  các tụ C2 và C4 có tác dụng thoát thành phần xoay chiều từ chân E xuống
  mass, C6 là tụ lọc nguồn.

• Ưu điểm của mạch là đơn giản, dễ lắp do đó mạch được sử
  dụng rất nhiều trong thiết bị điện tử, nhược điểm là không khai thác
  được hết khả năng khuyếch đại của Transistor do đó hệ số khuyếch đại
  không lớn.

• Ở trên là mạch khuyếch đại âm tần, do đó các tụ nối tầng thường dùng tụ hoá có trị số từ 1µF ÷ 10µF.

• Trong các mạch khuyếch đại cao tần thì tụ nối tầng có trị số nhỏ khoảng vài nanô Fara.

3.2 – Ghép tầng qua biến áp .
* Sơ đồ mạch trung tần tiếng trong Radio sử dụng biến áp ghép tầng

Tầng Trung tần tiếng của Radio sử dụng biến áp ghép tầng.

• Ở trên là sơ đồ mạch trung tần Radio sử dụng các biến
  áp ghép tầng, tín hiệu đầu ra của tầng này được ghép qua biến áp để đi
  vào tầng phía sau.

• Ưu điểm của mạch là phối hợp được trở kháng giữa các
  tầng do đó khai thác được tối ưu hệ số khuyếch đại , hơn nữa cuộn sơ
  cấp biến áp có thể đấu song song với tụ để cộng hưởng khi mạch khuyếch
  đại ở một tần số cố định.

• Nhược điểm : nếu mạch hoạt động ở dải tần số rộng thì gây méo tần số, mạch chế tạo phức tạp và chiếm nhiều diện tích.

3.3 – Ghép tầng trực tiếp .

* Kiểu ghép tầng trực tiếp thường được dùng trong các mạch khuyếch đại công xuất âm tần.

Mạch khuyếch đại công xuất âm tần có đèn đảo pha Q1
được ghép trực tiếp với hai đèn công xuất Q2 và Q3.